Твердотельные накопители NVMe для систем хранения данных

Твердотельные накопители NVMe для систем хранения данных

В рамках юбилейных мероприятий к 80 - летию Петрозаводского государственного университета, Управление по инновационно-производственной деятельности продолжает знакомить с новыми инновационными проектами и разработками инновационных подразделений ПетрГУ 2020 года.

Проект  Твердотельные накопители NVMe для систем хранения данных представлен   ПетрГУ (руководитель – В.В. Путролайнен).  Индустриальный партнер проекта -  «ДжиЭс-Нанотех».

Твердотельные накопители (SSD) форм-фактора U.2 на основе NVMe контроллера с использованием многокристальных модулей NAND flash-памяти предназначены для использования в полностью твердотельных (full flash) высокоскоростных системах хранения данных (СХД), рынок которых только формируется в РФ.

На данный момент Российский рынок твердотельных накопителей, в том числе NVMe, представлен продукцией зарубежного производства, среди которых лидерами по объему рынка являются Kingston (США) и Samsung (Корея).

Анализ структуры российского рынка твердотельных накопителей показал, что на сегодняшний день в России нет производителей SSD дисков, в том числе скоростных на NVMe SSD для использования в all-flash системах хранения данных.

Производство микросхем памяти, а также разработка и сборка твердотельных накопителей позволяет максимально локализовать производство на территории РФ и создать первые российские серийные твердотельные накопители.

Твердотельные накопители собираются на основе интегральных микросхем памяти, произведенных по технологии трехмерного многокристального корпусирования, отработанной в рамках проекта на промышленном оборудовании  индустриального партнера «ДжиЭс-Нанотех».  Многокристальное корпусирование позволяет кратно увеличить объем микросхемы памяти и твердотельных накопителей на их основе.

Российские твердотельные накопители имеют ряд преимуществ: форм-фактор U.2, емкость до 2 ТБ; температурный диапазон 0-70°C, – 40-85 °C; интерфейс PCIe 3.0x4, скорость последовательного чтения/записи до 3000 Mб/с ,скорость случайного чтения/записи до 400 000 IOPS.

ПНИЭР проводился при финансовой поддержке государства в лице Минобрнауки   России.


29.04.2020